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变频器逆变器件的介绍大功率晶体管(GTR)-大功率晶体管,也叫双极结型晶体管(BJT)。1、变频器用的GTR一般都是达林顿晶体管(复合管)模块,其内部有三个极分别是集电极C、发射极E和基极B。根据变频器的工作特点,在晶体管旁还并联了一...


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变频器逆变器件的介绍


大功率晶体管(GTR)-大功率晶体管,也叫双极结型晶体管(BJT)。

1、变频器用的GTR一般都是达林顿晶体管(复合管)模块,其内部有三个极分别是集电极C、发射极E和基极B。根据变频器的工作特点,在晶体管旁还并联了一个反向连接的续流二极管。又根据逆变桥的特点,常做成双管模块,甚至可以做成6管模块。

2、工作时状态和普通晶体管一样,GTR也是一种放大器件,具有三种基本的工作状态:

⑴放大状态起基本工作特点是集电极电流Ic的大小随基极电流Ib而变Ic=βIb式中β------GTR的电流放大倍数。

GTR处于放大状态时,其耗散功率Pc较大。设Uc=200V,Rc=10Ω,β=50,Ib=200mA(0.2A)计算如下:Ic=βIb=50*0.2A=10AUce=Uc-IcRc=(200-10*10)V=100VPc=UceIc=100*10W=1000W=1KW⑵饱和状态Ib增大时,Ic随之而增大的状态要受到欧姆定律的制约。当βIb>Uc/Rc时,Ic=βIb的关系便不能再维持了,这时,GTR开始进入“饱和'状态。而当Ic的大小几乎完全由欧姆定律决定,即Ics≈Uc/Rc时,GTR便处于深度饱和状态(Ics为饱和电流)。这时,变频器维修专家,GTR的饱和压降Uces约为1-5V。GTR处于饱和状态时的功耗是很小的。上例中,Uces=2VIcs=Uc/Rc=200/10A=20APc=UcesIcs=2*20W=40W可见,与放大状态相比,相差甚远。

⑶截止状态即关断状态。这是基极电流Ib≤0的结果。在截止状态,GTR只有很微弱的漏电流流过,因此,其功耗是微不足道的。GTR在逆变电路中是用来作为开关器件的,工作过程中,总是在饱和状态间进行交替。所以,逆变用的GTR的额定功耗通常是很小的。而如上述,如果GTR处于放大状态,其功耗将增大达百北以上。所以,逆变电路中的GTR是不允许在放大状态下小作停留的。



由于环境恶劣,高温、导电粉尘引起的短路、潮湿引起的绝缘降低或击穿等突发情况导致变频器故障故障的分析和处理方法。

     主电路故障 根据对变频器实际故障发生次数和停机时间统计,主电路的故障率占60%以上;运行参数设定不当,导致的故障占20%左右;控制电路板出现的故障占15%;操作失误和外部异常引起的故障占5%。从故障程度和处理困难性统计,此类故障发生必然造成元器件的损坏和报废。是变频器维修费用的主要消耗部分。

(1)整流块的损坏 变频器整流桥的损坏也是变频器的常见故障之一,早期生产的变频器整流块均以二极管整流为主,目前部分整流块采用晶闸管的整流方式(调压调频型变频器)。中、大功率普通变频器整流模块一般为三相全波整流,承担着变频器所有输出电能的整流,易过热,也易击穿,其损坏后一般会出现变频器不能送电、保险熔断等现象,三相输入或输出端呈低阻值(正常时其阻值达到兆欧以上)或短路。在更换整流块时,要求其在与散热片接触面上均匀地涂上一层传热性能良好的硅导热膏,再紧固螺丝。如果没有同型号整流块时,可用同容量的其它类型的整流块替代,其固定螺丝孔,朝阳变频器维修,必须重新钻孔、攻丝,再安装、接线。

(2)充电电阻易损坏 导致变频器充电电阻损坏原因一般是:如主回路接触器吸合不好时,造成通流时间过长而烧坏;或充电电流太大而烧坏电阻;或由于重载启动时,主回路通电和 RUN信号同时接通,使充电电阻既要通过充电电流,同时又要通过负载逆变电流,GSBG2800-41500G变频器维修,故易被烧坏。其损坏的特征,一般表现为烧毁、外壳变黑、炸裂等损坏痕迹。也可根据万用表测量其电阻(不同容量的机器,其阻值不同,可参考同一种机型的阻值大小确定)判断。

(3)逆变器模块烧坏 中、小型变频器一般用三组IGTR(大功率晶体管模块);大容量的机种均采用多组IGTR并联,故测量检查时应分别逐一进行检测。IGTR的损坏也可引起变频器OC(+pA或+pd或+pn)保护功能动作。逆变器模块的损坏原因很多:如输出负载发生短路;负载过大,大电流持续运行;负载波动很大,导致浪涌电流过大;冷却风扇效果差;致使模块温度过高,变频器维修哪家好,导致模块烧坏、性能变差、参数变化等问题,引起逆变器输出异常。辅助控制电路故障 变频器驱动电路、保护信号检测及处理电路、脉冲发生及信号处理电路等控制电路称为辅助电路。辅助电路发生故障后,其故障原因较为复杂,除固化程序丢失或集成块损坏(这类故障处理方法一般只能采用控制板整块更换或集成块更换)外,其他故障较易判断和处理。


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